[发明专利]铟氮化镓多量子阱发光二极管

摘要

本发明公开了一种铟氮化镓多量子阱发光二极管，包括：衬底，在衬底表面形成的N型掺杂的氮化镓层，在N型掺杂的氮化镓层表面形成的铟氮化镓/氮化镓多量子阱发光层，在铟氮化镓/氮化镓多量子阱发光层表面形成的电子阻挡层，在电子阻挡层表面形成的P型掺杂的氮化镓层；还包括设于P型掺杂的氮化镓层表面的第一电极和设于N型掺杂的氮化镓层表面的第二电极；电子阻挡层包括P型掺杂的In_yGa_1‑yN层和P型掺杂的Al_xGa_1‑xN层；In_yGa_1‑yN层中In的含量y为固定值；Al_xGa_1‑xN层中Al的含量沿生长方向线性增加、由公式x=a*z/d1确定，a为第二电子阻挡层中Al的最大含量；z为到第二电子阻挡层底部的距离，d1为第二电子阻挡层的厚度。本发明能够减小漏电流、增加空穴注入效率，提高产品的发光效率。

主权项

1.一种铟氮化镓多量子阱发光二极管，包括：衬底（1），在衬底（1）表面形成的N型掺杂的氮化镓层（2），在N型掺杂的氮化镓层（2）表面形成的铟氮化镓/氮化镓多量子阱发光层（3），在铟氮化镓/氮化镓多量子阱发光层（3）表面形成的电子阻挡层（4），在电子阻挡层（4）表面形成的P型掺杂的氮化镓层（5）；还包括设于P型掺杂的氮化镓层（5）表面的第一电极（61）和设于N型掺杂的氮化镓层（2）表面的第二电极（62）；其特征在于：所述电子阻挡层（4）沿器件生长方向依次包括第一电子阻挡层（41）和第二电子阻挡层（42）；所述第一电子阻挡层（41）为P型掺杂的In_yGa_1‑yN层，所述第二电子阻挡层（42）为P型掺杂的Al_xGa_1‑xN层；所述In_yGa_1‑yN层中In的含量y为固定值；所述Al_xGa_1‑xN层中Al的含量沿生长方向线性增加、由公式x=a*z/d1确定，所述a为第二电子阻挡层（42）中Al的最大含量；所述z为到第二电子阻挡层（42）底部的距离，所述d1为第二电子阻挡层（42）的厚度。