[发明专利]一种平板微热管的落差式灌封装置和方法有效
申请号: | 201810376012.2 | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN108648998B | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 罗怡;王晓东;甲宸;于子程;李聪明 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/427;B81C3/00 |
代理公司: | 21200 大连理工大学专利中心 | 代理人: | 温福雪;侯明远 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于微器件的封装技术领域,涉及一种平板微热管的落差式灌封装置和方法。密封步骤如下:将玻璃盖板下侧湿法腐蚀出不连续的条形灌封沟道,将硅基板上侧干法刻蚀出不连续的条形灌封沟道和微热管的内腔室,硅基板上灌封沟道与玻璃盖板的灌封沟道交错排布,液体流经玻璃盖板上的灌封沟道后,必须借助硅基板上的灌粉沟道再流回玻璃盖板上的灌封沟道,形成纵向落差式结构。本发明可提高微热管灌注可靠性,避免热冲击下平面结构密封时的失效,拓展了可用的工质范围,且平板微热管表面无凸起,可与硅基微器件集成制造。 | ||
搜索关键词: | 沟道 灌封 微热管 玻璃盖板 硅基板 灌封装置 不连续 落差式 硅基微器件 干法刻蚀 集成制造 交错排布 结构密封 密封步骤 湿法腐蚀 纵向落差 内腔室 热冲击 微器件 下平面 可用 凸起 封装 灌注 拓展 | ||
【主权项】:
1.一种平板微热管的落差式灌封装置,其特征在于,包括封装灌注孔(1)、微热管内腔室(2)、硅基板(3)、工质灌注孔(4)、硅基板灌封通道前端(5)、硅基板灌注通道(6)、硅基板灌封通道末端(7)、玻璃盖板(8)、蒸气腔(9)和玻璃盖板灌注通道(10);/n所述的玻璃盖板(8)为方形结构,其上设有方形凹槽状的蒸气腔(9),蒸气腔(9)的左侧设有N+1个与左边界平行的方形凹槽状玻璃盖板灌注通道(10),相邻两个玻璃盖板灌注通道(10)之间设有工质灌注孔(4);玻璃盖板(8)的左下角内侧设有玻璃封装灌注孔(1),玻璃封装灌注孔(1)与玻璃盖板灌注通道(10)中轴线重合,玻璃盖板(8)的右侧结构与左侧沿中心旋转对称,N≥1;/n所述的硅基板(3)与玻璃盖板(8)形状相同,其上设有与蒸气腔(9)对应相同的微热管内腔室(2);微热管内腔室(2)的左边界平行设有N个方形凹槽状硅基板灌注通道(6);硅基板灌注通道(6)与玻璃盖板灌注通道(10)宽度相同,与玻璃盖板(8)上相邻两个玻璃盖板灌注通道(10)错位设置;/n硅基板灌封通道前端(5)为烧瓶形结构,其瓶颈端为与硅基板灌注通道(6)宽度相同,圆形端与玻璃盖板(8)的玻璃封装灌注孔(1)形状对应相同,硅基板灌封通道前端(5)与硅基板灌注通道(6)沿同一中心轴线设置于硅基板(3)上;硅基板灌封通道末端(7)为L形凹槽,L形凹槽的一端与硅基板灌注通道(6)沿同一中心轴线对称,另一端与微热管内腔室(2)连通,硅基板(3)的右侧结构与左侧沿中心旋转对称。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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