[发明专利]半导体封装在审
| 申请号： | 201810376927.3 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN109216294A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 李尚远 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/18;H01L23/552 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种具有高电学可靠性的半导体封装。半导体封装包括：下部子半导体封装，包括下部半导体芯片和在下部半导体芯片上并且具有模通孔的下部模层；上部子半导体封装，包括上部半导体芯片；下部子半导体封装和上部子半导体封装之间的填充层；模通孔中的连接过孔，所述连接过孔穿过下部模层和填充层，并且将下部子半导体封装与上部子半导体封装电连接。填充层包括填充层的延伸部，延伸部从填充层的比下部模层的顶表面高的部分延伸到模通孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体封装 填充层 半导体芯片 模通孔 下部模 延伸部 电学可靠性 电连接 顶表面 穿过 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，包括：下部子半导体封装，包括下部半导体芯片、下部半导体芯片上的下部模层以及下部模层中的模通孔；上部子半导体封装，包括上部半导体芯片；下部子半导体封装和上部子半导体封装之间的填充层；以及模通孔中的连接过孔，所述连接过孔穿过下部模层和填充层，并且将下部子半导体封装与上部子半导体封装电连接，其中填充层包括延伸部，所述延伸部从填充层的比下部模层的顶表面高的部分延伸到模通孔中。
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