[发明专利]一种高速高质量单晶金刚石的生长方法有效
| 申请号： | 201810377077.9 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108611680B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 龚猛;周广迪;郁万成;金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶金刚石的生长方法，该方法包括：在衬底表面生长金刚石支撑层；在金刚石支撑层表面生长中间缺陷阻挡层；以及在中间缺陷阻挡层表面生长金刚石表面层。该方法在衬底上生长一层厚的金刚石支撑层，金刚石支撑层以较高的生长速率生长；在金刚石支撑层上生长一层中间缺陷阻挡层，中间缺陷阻挡层采用台阶生长模式阻碍金刚石中的缺陷向表面处延伸；在中间缺陷阻挡层上生长一层金刚石表面层，金刚石表面层采取优化过的生长条件，以较低的生长速率得到高质量的金刚石表面层，这种生长方法通过三层结构来生长高质量单晶金刚石。本发明解决了传统金刚石生长过程中外延层高的生长速率与外延层质量之间相矛盾的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 质量 金刚石 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶金刚石的生长方法，该方法包括：在衬底表面生长金刚石支撑层；在金刚石支撑层表面生长中间缺陷阻挡层；以及在中间缺陷阻挡层表面生长金刚石表面层。
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