[发明专利]三维存储器及其数据操作方法有效
申请号: | 201810378907.X | 申请日: | 2018-04-25 |
公开(公告)号: | CN108520881B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 刘峻;霍宗亮 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582;H01L27/1157;G11C16/26 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种三维存储器及其数据操作方法,该存储器包括:衬底;位于衬底上的堆叠层,堆叠层包括若干层沿垂直于衬底的方向间隔设置的栅极层;穿过堆叠层的沟道孔;位于沟道孔内的沟道层;位于沟道层上的漏极层;漏极层包括形成PN结的顶层P型区及底层N型区。本发明主要通过改变漏极层的结构来改变数据操作方式,无需接入高电压,即可利用漏极层来进行数据擦除,同时方便进行数据读取及数据编写,从而较好地防止对器件造成损坏,提高了三维存储器的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 漏极层 三维存储器 堆叠层 衬底 数据操作 沟道层 沟道 方向间隔 改变数据 使用寿命 数据擦除 数据读取 存储器 高电压 栅极层 顶层 垂直 穿过 | ||
【主权项】:
1.一种三维存储器,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底上的堆叠层,所述堆叠层包括若干层沿垂直于衬底的方向间隔设置的栅极层;穿过所述堆叠层的沟道孔;位于所述沟道孔内的沟道层;位于所述沟道层上的漏极层;所述漏极层包括形成PN结的顶层P型区及底层N型区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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