[发明专利]三维存储器及其数据操作方法有效

专利信息
申请号: 201810378907.X 申请日: 2018-04-25
公开(公告)号: CN108520881B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 刘峻;霍宗亮 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/11582 分类号: H01L27/11582;H01L27/1157;G11C16/26
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 徐伟
地址: 430205 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种三维存储器及其数据操作方法,该存储器包括:衬底;位于衬底上的堆叠层,堆叠层包括若干层沿垂直于衬底的方向间隔设置的栅极层;穿过堆叠层的沟道孔;位于沟道孔内的沟道层;位于沟道层上的漏极层;漏极层包括形成PN结的顶层P型区及底层N型区。本发明主要通过改变漏极层的结构来改变数据操作方式,无需接入高电压,即可利用漏极层来进行数据擦除,同时方便进行数据读取及数据编写,从而较好地防止对器件造成损坏,提高了三维存储器的使用寿命。
搜索关键词: 漏极层 三维存储器 堆叠层 衬底 数据操作 沟道层 沟道 方向间隔 改变数据 使用寿命 数据擦除 数据读取 存储器 高电压 栅极层 顶层 垂直 穿过
【主权项】:
1.一种三维存储器,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底上的堆叠层,所述堆叠层包括若干层沿垂直于衬底的方向间隔设置的栅极层;穿过所述堆叠层的沟道孔;位于所述沟道孔内的沟道层;位于所述沟道层上的漏极层;所述漏极层包括形成PN结的顶层P型区及底层N型区。
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