[发明专利]有源区的形成方法

摘要

本发明提供一种有源区的形成方法，包括以下步骤1）提供一半导体衬底；2）以至少包含刻蚀半导体衬底的方式，形成浅沟槽于半导体衬底内，浅沟槽于半导体衬底内隔离出若干个间隔排布的有源区，有源区的侧壁内存在有刻蚀引起的晶格损伤；3）沉积形成含硅材料层于浅沟槽的底部及有源区的侧壁上；4）形成氧化硅层于有源区的侧壁上，以修复有源区的侧壁内的晶格损伤，氧化硅层的形成方法包括对含硅材料层进行热氧化处理。本发明在可以有效修复有源区内存在的晶格损伤的同时，并不对有源区造成任何消耗，从而最大限度地保留了用于形成半导体器件的有源区，有效提高了半导体衬底的使用效率，显著节约了成本。

主权项

1.一种有源区的形成方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底；2)以至少包含刻蚀所述半导体衬底的方式，形成浅沟槽于所述半导体衬底内，所述浅沟槽于所述半导体衬底内隔离出若干个间隔排布的有源区，所述有源区的侧壁内存在有刻蚀引起的晶格损伤；3)沉积形成含硅材料层于所述浅沟槽的底部及所述有源区的所述侧壁上；及，4)形成氧化硅层于所述有源区的所述侧壁上，以修复所述有源区的所述侧壁内的所述晶格损伤，所述氧化硅层的形成方法包括对所述含硅材料层进行热氧化处理。