[发明专利]基于多孔氧化铝的薄膜组件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810379756.X | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108675258B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 孙树清;曹骏;孙翔宇;王桂强;王春楠;弥胜利;谢伟东 | 申请（专利权）人： | 清华大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 44223 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐罗艳 |
| 地址： | 518055 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于多孔氧化铝的薄膜组件及其制备方法，包括一薄膜基体，所述薄膜基体其中至少一表面上具有微阵列结构，所述微阵列结构是凸出于所述薄膜基体表面的多孔氧化铝微柱阵列，所述微柱阵列的每个柱状体的端部都具有多个纳米孔；所述微阵列结构是对一双面氧化的多孔氧化铝薄膜进行光刻和湿法刻蚀而形成；其中，光刻时涂覆负性光刻胶并通过一具有微孔阵列的掩膜板进行曝光。制备方法包括对多孔氧化铝薄膜进行光刻，得到样片，放入刻蚀液中，以使刻蚀液沿显影后去除光刻胶而暴露出的纳米孔流入，进行垂直于多孔氧化铝薄膜表面的各向异性刻蚀，得到具有所述微阵列结构的所述薄膜组件。 | ||
| 搜索关键词： | 微阵列结构 多孔氧化铝薄膜 多孔氧化铝 薄膜基体 薄膜组件 光刻 制备 微柱阵列 刻蚀液 纳米孔 各向异性刻蚀 负性光刻胶 湿法刻蚀 双面氧化 微孔阵列 光刻胶 掩膜板 柱状体 放入 涂覆 显影 去除 垂直 曝光 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种基于多孔氧化铝的薄膜组件，其特征在于：包括一薄膜基体，所述薄膜基体其中至少一表面上具有微阵列结构，所述微阵列结构是凸出于所述薄膜基体表面的多孔氧化铝微柱阵列，所述微柱阵列的每个柱状体的端部都具有多个纳米孔；所述柱状体为长度100～500μm的微针，微针底部直径30～150微米、尖端直径10～50微米；/n所述微阵列结构是对一双面氧化的多孔氧化铝薄膜进行光刻和湿法刻蚀而形成；其中，光刻时涂覆负性光刻胶并通过一具有微孔阵列的掩膜板进行曝光，湿法刻蚀时刻蚀液沿多孔氧化铝薄膜表面的纳米孔进行纵向的各向异性刻蚀。/n
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