[发明专利]一种具有陷光结构的钙钛矿光电探测器及制作方法在审
| 申请号： | 201810380285.4 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108649120A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 毕臻;张泽阳;张春福;陈大正;张进成;张金凤;许晟瑞;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有陷光结构的钙钛矿光电探测器及制作方法，包括自下而上依次分布的具有SU8表面纳米陷光阵列的减反层、ITO玻璃衬底、ITO纳米陷光结构、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层，在电子传输层上方设有阴极，在ITO纳米陷光结构上方设有阳极；纳米陷光阵列的减反层为SU‑8减反射膜，减反射膜具有类半球结构的表面减反阵列的陷光结构；ITO纳米陷光结构为具有二维结构孔形或柱形阵列结构。该结构具有良好的陷光效果，增加光程，增强有效光吸收，产生更多的载流子和更大光电流，提高明暗对比度、外量子效率和光电灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 陷光结构 钙钛矿 电子传输层 光电探测器 减反射膜 减反层 陷光 载流子 阴极 光电灵敏度 空穴传输层 外量子效率 有效光吸收 半球结构 表面纳米 二维结构 光活性层 陷光效果 阵列结构 阳极 反阵列 光电流 衬底 光程 孔形 明暗 柱形 制作 | ||
【主权项】：
1.一种具有陷光结构的钙钛矿光电探测器，其特征在于，包括自下而上依次分布的具有SU8表面纳米陷光阵列的减反层、ITO玻璃衬底、ITO纳米陷光结构、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层，在电子传输层上方设有阴极，在ITO纳米陷光结构上方设有阳极；所述纳米陷光阵列的减反层为SU‑8减反射膜，减反射膜具有类半球结构的表面减反阵列的陷光结构；所述ITO纳米陷光结构为具有二维结构孔形或柱形阵列结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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