[发明专利]低接触电阻石墨烯装置集成在审
| 申请号： | 201810380338.2 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108735805A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 路易吉·科隆博;阿尔莎娜·韦努戈帕尔 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及低接触电阻石墨烯装置集成。一种电子装置(100)具有带有一或多个石墨烯原子层的石墨烯层(106)，具有包含直接位于所述石墨烯层(106)上的掺杂碳的金属层(110)的低电阻触点。所述电子装置(100)是通过在所述电子装置(100)的衬底层(102)上形成掺杂碳的金属层(110)而形成。随后将所述掺杂碳的金属层(110)加热到一温度且随后进行冷却，在所述温度以上所述掺杂碳的金属层(110)中的碳(114)变得移动。所述掺杂碳的金属层(110)中的所述碳(114)在所述掺杂碳的金属层(110)下方并在所述衬底层(102)上方形成所述石墨烯层(106)。从接触区域以外的区域移除所述掺杂碳的金属层(110)，从而留下所述接触区域中的所述掺杂碳的金属层(110)以提供到所述石墨烯层(106)的接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 掺杂 石墨烯层 电子装置 石墨烯 低接触电阻 接触区域 衬底层 成本发明 装置集成 低电阻 接触层 原子层 触点 移除 加热 冷却 移动 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置，其包括：衬底层，其具有顶部表面；位于所述衬底层上方的石墨烯层，其包括石墨烯层的至少一个原子层；及直接位于所述石墨烯层上的接触层，所述接触层包括掺杂碳的金属，其中所述接触层暴露出石墨烯层的一或多个区。
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