[发明专利]一种磷掺杂多级孔道氮化碳纳米片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810380504.9 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108435229B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 刘勇弟;雷菊英;周亮;张金龙;王灵芝;江振颖;田云浩;宋友桂 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J35/10;B01J37/08;C01B15/026 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种磷掺杂多级孔道氮化碳纳米片(P‑mMCNNS)及其制备方法。本方法通过气体模板法，将气体模板、氮化碳前驱体以及磷源混合研磨，在惰性氛围下一步煅烧得到磷掺杂多级孔氮化碳纳米片。本发明所述方法可以简单调控磷的掺杂量，制备的磷掺杂催化剂具有优异的光电性能，将其应用于光催化产H |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 多级 孔道 氮化 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磷掺杂多级孔氮化碳纳米片，其特征在于，所述纳米片具有大孔‑介孔结构，所述介孔孔径为25‑40nm，所述大孔孔径为50‑150nm，所述纳米片为无规则片状结构，纳米片平面的平均直径为3‑8μm，厚度为3nm左右，比表面积为15‑25m2/g，所述纳米片中，P含量为0.26‑2.5％(质量)，C/N的质量比为0.52左右。
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