[发明专利]具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法

摘要

本发明公开了一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法，包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构，表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构，本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件，包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。该结构具有极低的表面反射率，通过调节复合微纳结构的高度及填充因子，使光从空气进入到太阳电池时实现介质折射率缓慢变化，这种等效的折射率缓变结构，减缓了传统电池表面和界面处折射率变化的剧烈程度，极大地降低反射率，同时增加光程，提高有效光吸收，从而实现太阳电池的高转换效率。

主权项

1.一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池，其特征在于，包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳减反结构，所述InGaP/InGaAs/Ge三结电池中包括Ge底电池、InGaAs中电池和InGaP顶电池，Ge底电池由p-Ge衬底和其上方的n-Ge薄膜共同构成；在Ge底电池和InGaAs中电池之间由下至上依次分布的InGaP第一异质层、n-InGaAs缓冲层和p-GaAs/n-GaAs隧道结；在InGaAs中电池和InGaP顶电池之间设有p-AlGaAs/n-InGaP隧道结；InGaP顶电池上方设有GaAs层，GaAs层通过GaAs接触层上表面引出Ni/Cr/Au金属电极，在GaAs接触层周边GaAs层上表面设有复合微纳减反结构；/n所述复合微纳减反结构为周期性排布六方结构，每一个重复单元由凸起或凹陷的椭圆柱与其上的圆锥共同构成；周期宽度为200～1200nm，长度为宽度的