[发明专利]半导体器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、第一半导体层、第二半导体层、欧姆电极和金属电极。金属电极包括电极沟槽和电极侧翼，通过电极侧翼结构的具体设计，进一步扩展了二维电子气耗尽宽度，调制电场分布。本发明所述的半导体器件能够解决半导体器件结构在反偏电压下漏电较大的问题，进一步提高半导体器件的反向击穿电压。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的第一半导体层；位于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的界面处形成二维电子气；位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层一侧的欧姆电极；金属电极，所述金属电极的至少一部分位于所述第二半导体层内；其中，所述金属电极包括电极沟槽和电极侧翼，所述电极沟槽的底部延伸至所述二维电子气所在的区域或超过所述二维电子气所在的区域；所述电极侧翼位于所述电极沟槽与所述欧姆电极之间；所述电极侧翼靠近所述半导体层的一侧包括多个阶梯面或者至少一个弧形槽，所述阶梯面同所述二维电子气之间的距离与该阶梯面在所述二维电子气所在平面投影的面积相匹配；所述弧形槽的曲率半径与所述电极侧翼的延伸长度相匹配。