[发明专利]用于N型掩埋层集成的穿过屏蔽层的高剂量锑注入

摘要

本申请公开了用于N型掩埋层集成的穿过屏蔽层的高剂量锑注入。通过在衬底(104)的顶表面(106)上形成薄屏蔽层(108)来形成具有n型掩埋层(NBL)的微电子器件(100)。锑(114)穿过由注入掩模(110)暴露的屏蔽层(108)被注入到衬底(104)中；注入掩模(110)阻挡锑(114)到NBL区域(112)外侧的衬底(104)。注入掩模(110)被移除，留下屏蔽层(108)在表面(106)上，该屏蔽层在NBL区域(112)上方以及在NBL外侧的区域上方具有相同的厚度。在退火/驱动工艺期间，在NBL区域(112)中以及在NBL区域外侧都形成二氧化硅。在NBL区域(112)中形成稍微多一些的二氧化硅，在该区域中消耗更多的硅并因此形成浅的硅凹槽。在衬底(104)的顶表面(106)上生长外延层。还公开了微电子器件(100)的结构。

主权项

1.一种方法，其包括：提供包括半导体材料的衬底，所述半导体材料具有顶表面，所述半导体材料是p型的并且包括硅；在所述半导体材料的所述顶表面上方形成包括二氧化硅的屏蔽层；在所述屏蔽层上方形成注入掩模，所述注入掩模在所述屏蔽层的一个区域中暴露所述屏蔽层；将锑注入到所述区域下方的所述半导体材料中的注入区域中；移除所述注入掩模，其中在移除所述注入掩模之后，用于所述NBL的区域中的所述屏蔽层的厚度基本等于与所述NBL相邻的所述屏蔽层的厚度；在所述衬底的所述顶表面上方形成额外的二氧化硅；使所述注入区域中的锑扩散到所述半导体材料中，以形成n型掩埋层即NBL；从所述衬底的所述顶表面移除所述额外的二氧化硅与所述屏蔽层；以及在所述衬底的所述顶表面上形成包括硅的外延层。