[发明专利]一种真空封装结构及其封装方法

摘要

本申请的目的是提供一种真空封装结构及其封装方法，本申请的真空封装结构中在真空腔体的硅衬底上刻蚀有空柱结构和沟渠结构，采用热绝缘材料对空柱结构和沟渠结构进行填充，连接着硅衬底和悬浮膜结构，不仅可以增强敏感为结构的机械强度，同时该热绝缘材料不会带来热损耗的增加；由于沟渠结构在悬浮膜结构的正下方，不与硅衬底连接，也可以在增强敏感微结构的机械强度的同时，不会带来热损耗的增加，采用空柱结构和沟渠结构的设计不仅增强了敏感微结构的机械强度和可靠性，还可以达到很好的均匀性；加之，封装腔体内的真空封装将悬浮膜结构下方的气体热传导消除，提高了热传感器的热绝缘性，从容提高了信号强度。

主权项

1.一种真空封装结构，其中，包括：封装腔体(1)、依次在所述封装腔体(1)上设置有敏感微结构(2)和敏感薄膜(3)、释放孔(4)及通孔密封塞(5)，其中，所述封装腔体(1)包括硅衬底(11)、空柱结构(12)、沟渠结构(13)、填充薄膜(14)、支撑膜(15)及悬浮膜结构(16)，所述硅衬底(11)上刻蚀有空柱结构(12)和沟渠结构(13)，所述填充薄膜(14)填充在所述空柱结构(12)和沟渠结构(13)中，所述支撑膜(15)粘接在所述硅衬底(11)的刻蚀面；所述释放孔(4)贯穿所述敏感微结构(2)和敏感薄膜(3)，且垂直设置于所述硅衬底(11)的刻蚀面；从所述释放孔(4)处对所述硅衬底进行腐蚀，形成所述悬浮膜结构(16)，其中，所述硅衬底(11)的腐蚀深度大于所述沟渠结构(13)的刻蚀深度且小于所述空柱结构(12)的刻蚀深度；通过所述释放孔(4)将所述悬浮膜结构(16)内抽空，形成真空腔(17)，并将所述通孔密封塞(5)与所述通气孔(4)密封连接。