[发明专利]一种MEMS岛-梁-膜装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201810383581.X | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108557753A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 桑新文;盛云 | 申请（专利权）人： | 苏州纳芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266 | 代理人： | 高海棠 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS岛‑梁‑膜装置，包括支撑结构、粘接层和器件层，所述支撑结构和器件层之间通过粘接层粘接在一起；所述支撑结构的中间位置设置有背腔和空腔；所述背腔贯穿支撑结构到空腔内，并与空腔相互连通；所述空腔从支撑结构的上表面向下延伸，不贯穿支撑结构；所述器件层上设置有一不贯穿的岛‑梁‑膜结构。其具有能够有效的改善MEMS传感器的非线性和对称性、优异的鲁棒性、对外界应力具有较强的抵抗性、方便后续的封装、测试以及使用等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑结构 空腔 器件层 膜装置 粘接层 背腔 贯穿 向下延伸 抵抗性 鲁棒性 膜结构 上表面 粘接 制备 封装 连通 测试 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS岛‑梁‑膜装置，其特征在于，包括支撑结构(1)、粘接层(2)和器件层(3)，所述支撑结构(1)和器件层(3)之间通过粘接层(2)粘接在一起；所述支撑结构(1)的中间位置设置背腔(4)和空腔(5)，所述背腔(4)贯穿支撑结构(1)到空腔(5)内，并与空腔(5)相互连通；所述空腔(5)从支撑结构(1)的上表面向下延伸，不贯穿支撑结构(1)；所述器件层(3)上设置有不贯穿的岛‑梁‑膜(11)和围绕岛‑梁‑膜(11)的固支结构(10)。
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