[发明专利]一种整合虚拟侧墙工艺的方法

摘要

本发明涉及一种整合虚拟侧墙工艺的方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有栅极结构；形成第一掩膜层，使第一掩膜层覆盖半导体衬底；形成一虚拟侧墙层，使虚拟侧墙层覆盖第一掩膜层；刻蚀虚拟侧墙层，并停止于第一掩膜层；进行浅源漏离子注入工艺；去除虚拟侧墙层；形成第二掩膜层，使第二掩膜层覆盖第一掩膜层；刻蚀第二掩膜层及第一掩膜层，使需要形成西格玛形貌凹槽区域的半导体衬底暴露；刻蚀形成西格玛形貌凹槽区域；在西格玛形貌凹槽区域形成一锗硅层。其优点在于，通过虚拟侧墙层，能够减少源漏区硅衬底的损失，提高器件的均一性；通过第一掩膜层，有源区的氧化硅层极薄且均匀，刻蚀形成的西格玛形貌均匀。

主权项

1.一种整合虚拟侧墙工艺的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有栅极结构；步骤S2、形成第一掩膜层，使所述第一掩膜层覆盖所述半导体衬底的上表面、栅极结构的上表面及侧壁；步骤S3、在所述第一掩膜层上形成一虚拟侧墙层，使所述虚拟侧墙层覆盖所述第一掩膜层的上表面及侧壁；步骤S4、刻蚀所述虚拟侧墙层，并停止于所述第一掩膜层；步骤S5、进行浅源漏离子注入工艺；步骤S6、去除所述虚拟侧墙层，剩余所述第一掩膜层；步骤S7、在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层，使第二掩膜层覆盖所述第一掩膜层的上表面及侧壁；步骤S8、刻蚀所述第二掩膜层及第一掩膜层，使需要形成西格玛形貌凹槽区域的所述半导体衬底暴露；步骤S9、刻蚀所述半导体衬底，形成所述西格玛形貌凹槽区域；步骤S10、在所述西格玛形貌凹槽区域形成一锗硅层。