[发明专利]包括电阻器结构的半导体器件在审
| 申请号： | 201810383864.4 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109119406A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 金太烈;罗炫旭;李书范;J.S.金;申忠桓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种包括电阻器结构的半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；电阻器结构，其包括在衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和在电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透第二绝缘层和电阻器层。电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。该半导体器件具有低的接触电阻和窄的接触电阻变化。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 半导体器件 电阻器结构 电阻器层 衬底 接触电阻 电阻器 上表面 侧壁 穿透 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；电阻器结构，其包括在所述衬底上的第一绝缘层、在所述第一绝缘层上的电阻器层和在所述电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透所述第二绝缘层和所述电阻器层，其中所述电阻器接触的侧壁相对于所述第一方向的倾斜角根据离所述衬底的高度而变化。
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