[发明专利]一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201810384191.4 申请日: 2018-04-26
公开(公告)号: CN108428762A 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 张真真;万文坚;黎华;符张龙;李子平;仲雨;曹俊诚 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/18
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 邓琪;杨希
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构及其制作方法,其中,所述耦合结构包括:多个呈阵列分布的微腔单元以及一位于所述微腔单元下方的衬底,其中,每个所述微腔单元包括:一上金属电极,以及一设置在所述上金属电极的下表面上的所述量子阱探测器中的外延层,该外延层的几何尺寸与所述上金属电极的几何尺寸相同;所有所述微腔单元还包括:一共用的供所述外延层设置于其上的下金属电极板,该下金属电极板设置在所述衬底的上表面上。本发明不仅可以实现光的正入射耦合,有效提高量子阱对光的吸收效率,降低量子阱探测器的暗电流,提高其工作温度,而且可以达到微腔内电场增强的效果,提高量子阱探测器的光耦合效率。
搜索关键词: 量子阱探测器 微腔 上金属电极 耦合结构 外延层 金属电极板 微腔阵列 衬底 光耦合效率 电场增强 吸收效率 阵列分布 耦合 暗电流 量子阱 上表面 下表面 正入射 制作
【主权项】:
1.一种用于量子阱探测器的微腔阵列耦合结构,其特征在于,所述耦合结构包括:多个呈阵列分布的微腔单元以及一位于所述微腔单元下方的衬底,其中,每个所述微腔单元包括:一上金属电极,以及一设置在所述上金属电极的下表面上的所述量子阱探测器中的外延层,该外延层的几何尺寸与所述上金属电极的几何尺寸相同;所有所述微腔单元还包括:一共用的供所述外延层设置于其上的下金属电极板,该下金属电极板设置在所述衬底的上表面上;每一列的多个所述微腔单元通过微腔连接线依次串联;其中,所述上金属电极为亚波长贴片天线。
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