[发明专利]一种S波段宽带MMIC低噪声放大器有效
申请号: | 201810384680.X | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN108306622B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 李海鸥;李陈成;徐华蕊;李跃;陈永和;李琦;张法碧;傅涛;孙堂友;肖功利 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F3/193;H03G3/30 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 石燕妮 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器:第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络;三级匹配网络:输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络,反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益,反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位,还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度,显著提高了低噪声放大器的线性度,降低了噪声系数。 | ||
搜索关键词: | 一种 波段 宽带 mmic 低噪声放大器 | ||
【主权项】:
1.一种S波段宽带MMIC低噪声放大器,其特征在于,包括两级放大器、三级匹配网络和负反馈网络;所述两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器(1)、第一级栅极偏置网络(2)、第一级漏极偏置网络(3)、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网(4)、第二级场效应晶体管放大器(5)、第二级栅极偏置网络(6)和第二级漏极偏置网络(7);所述第一传输线网与第一级场效应晶体管放大器(1)的源极连接;所述三级匹配网络包括连接于低噪声放大器输入端与第一级场效应晶体管放大器(1)栅极之间的输入级匹配网络、连接于所述第一级场效应晶体管放大器(1)漏极与所述第二级场效应晶体管放大器(5)栅极之间的级间匹配网络以及与所述第二级漏极偏置网络连接的输出级匹配网络;所述输入级匹配网络还与第一级栅极偏置网络(2)连接;所述级间匹配网络还与第二级栅极偏置网络(6)和第一级漏极偏置网络(3)连接;所述输出级匹配网络还与第二级漏极偏置网络(7)连接;所述负反馈网络连接于第二级场效应晶体管放大器(5)栅极与源极之间。
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