[发明专利]一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料在审
| 申请号： | 201810384688.6 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108321295A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 朱小芹;胡益丰;邹华;袁丽;吴卫华;郑龙;张建豪;吴世臣;眭永兴 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 32214 | 代理人： | 孙培英 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料，Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5薄膜的RESET电压低47%以上，说明本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料具有更低的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 相变薄膜材料 超晶格 多层膜结构 相变存储器 薄膜层 电压脉冲 交替排列 电压比 电压低 功耗 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列；Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的膜结构用通式[Si (a)/Sb(b)]x表示，其中a为单层Si薄膜层的厚度，18nm≤a≤22nm；b为单层Sb薄膜层的厚度，1nm≤b≤2nm；x为Si薄膜层和Sb薄膜层的交替周期数，x为正整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏理工学院，未经江苏理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810384688.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
