[发明专利]蚀刻后阶段监控叠对情形与临界尺寸的半导体图案有效
| 申请号： | 201810384690.3 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109119353B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈建豪;黄建维;王嘉鸿;李修申 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种蚀刻后阶段监控叠对情形与临界尺寸的半导体图案，包含一第一倒T形图案，其具有一基部以及从该基部延伸而出的中间部，以及一第二图案，其靠近该第一倒T形图案的基部并与之间隔，其中该第一倒T形图案与该第二图案是由多个彼此间隔的间隔壁所构成。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 倒T形 蚀刻 半导体图案 基部 基部延伸 间隔壁 中间部 监控 | ||
【主权项】：
1.一种在蚀刻后阶段用来监控叠对情形与临界尺寸的半导体图案，包含：第一倒T形图案，具有基部往第一方向延伸以及中间部从该基部往与该第一方向正交的第二方向延伸；以及第二图案，邻近该第一倒T形图案的该基部并与该基部间隔，其中该第一倒T形图案与该第二图案由多个彼此间隔且往该第二方向延伸的间隔壁图案所构成，其中该第一倒T形图案以该中间部为中线呈对称态样。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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