[发明专利]半导体元件

摘要

本发明公开一半导体元件，其具有一通道层、一上阻障层、一缓冲层、以及一背向阻障层。前述通道层形成于一基底上。前述上阻障层形成于前述通道层上。前述通道层与前述上阻障层之间形成有一第一异质接面，使前述通道层中产生了一第一二维电子气。前述缓冲层形成于前述基底与前述通道层之间。前述背向阻障层形成于前述缓冲层与前述通道层之间。前述缓冲层与前述背向阻障层之间形成有一第二异质接面，使前述缓冲层中产生了一第二二维电子气。一源极电极，一漏极电极，及一栅极电极，分别形成于前述上阻障层上。前述第二二维电子气的载流子面密度小于8E+10cm‑2。

主权项

1.一种半导体元件，包含有：通道层，形成于基底上；上阻障层，形成于该通道层上，其中，该通道层与该上阻障层之间形成有第一异质接面，使该通道层中产生了第一二维电子气；缓冲层，形成于该基底与该通道层之间；背向阻障层，形成于该缓冲层与该通道层之间，其中，该缓冲层与该背向阻障层之间形成有第二异质接面，使该缓冲层中产生了第二二维电子气；以及源极电极，漏极电极，及栅极电极，分别形成于该上阻障层上；其中，该第二二维电子气的载流子面密度小于8E+10cm‑2。