[发明专利]一种具有电阻补偿的带隙基准电路有效
申请号: | 201810384734.2 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN108345344B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 杨燕;赵健雄 | 申请(专利权)人: | 成都信息工程大学 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 | 代理人: | 秦力军 |
地址: | 610225 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明涉及一种基于CMOS工艺的具有电阻补偿的带隙基准电路,属于模拟集成电路领域,具体涉及一种具有电阻补偿的带隙基准电路。本发明包括:带隙基准核心电路和补偿电流产生电路,其中补偿电流产生电路包括电流乘法器电路、I |
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搜索关键词: | 一种 具有 电阻 补偿 基准 电路 | ||
【主权项】:
1.一种具有电阻补偿的带隙基准电路,包括:带隙基准核心电路,用于产生一阶补偿的基准电压;补偿电流产生电路,用于产生带隙基准电路的补偿电流,包括:电流乘法器电路、IPTAT产生电路、IPTAT2产生电路、IPTAT4产生电路和Iout产生电路,其中,所述电流乘法器电路,用于产生带隙基准核心电路的补偿电流Iy;所述IPTAT产生电路,用于产生IPTAT电流;所述IPTAT2产生电路用于产生IPTAT2电流;所述IPTAT4产生电路由两个结构相同的IPTAT2产生电路组成,用于产生带隙基准核心电路的IPTAT4电流;所述Iout产生电路用于产生Iout电流。
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