[发明专利]一种具有电阻补偿的带隙基准电路有效

专利信息
申请号: 201810384734.2 申请日: 2018-04-26
公开(公告)号: CN108345344B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 杨燕;赵健雄 申请(专利权)人: 成都信息工程大学
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 代理人: 秦力军
地址: 610225 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种基于CMOS工艺的具有电阻补偿的带隙基准电路,属于模拟集成电路领域,具体涉及一种具有电阻补偿的带隙基准电路。本发明包括:带隙基准核心电路和补偿电流产生电路,其中补偿电流产生电路包括电流乘法器电路、IPTAT产生电路、IPTAT2产生电路、IPTAT4产生电路和Iout产生电路。本发明通过电路的巧妙转换,而无需采用多种工艺制造,在原理上使用类似电阻补偿方式进行补偿,但是实现并不需要真实电阻,从工艺的角度相比其他采用多种工艺的电阻补偿方式大大减少加工成本,解决了电阻对工艺的依赖性问题。并且本发明采用一种电阻方式进行补偿,大大提高了带隙基准的温度系数特性。
搜索关键词: 一种 具有 电阻 补偿 基准 电路
【主权项】:
1.一种具有电阻补偿的带隙基准电路,包括:带隙基准核心电路,用于产生一阶补偿的基准电压;补偿电流产生电路,用于产生带隙基准电路的补偿电流,包括:电流乘法器电路、IPTAT产生电路、IPTAT2产生电路、IPTAT4产生电路和Iout产生电路,其中,所述电流乘法器电路,用于产生带隙基准核心电路的补偿电流Iy;所述IPTAT产生电路,用于产生IPTAT电流;所述IPTAT2产生电路用于产生IPTAT2电流;所述IPTAT4产生电路由两个结构相同的IPTAT2产生电路组成,用于产生带隙基准核心电路的IPTAT4电流;所述Iout产生电路用于产生Iout电流。
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