[发明专利]形成钨膜的方法有效
| 申请号： | 201810384783.6 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807166B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 前川浩治;鲛岛崇;青山真太郎;铃木幹夫;有马进;松本淳志;柴田直树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C16/14;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。形成钨膜的方法包括以下工序：在基板上形成第一钨膜的工序；以及在第一钨膜上形成第二钨膜的工序。在形成第一钨膜的工序中，将含有钨的原料气体和乙硼烷气体交替地同第一载气一起供给到基板。在形成第二钨膜的工序中，将含有钨的原料气体和氢气交替地同第二载气一起供给到具有第一钨膜的基板。第一载气为氮气。第二载气由至少一种非活性气体构成，以第二载气的全部流量的70％以上的流量的比例含有稀有气体。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成钨膜的方法，包括以下工序：在基板上形成第一钨膜的工序；以及在所述第一钨膜上形成第二钨膜的工序，其中，在所述形成第一钨膜的工序中，将含有钨的原料气体和乙硼烷气体交替地同第一载气一起供给到所述基板，在所述形成第二钨膜的工序中，将含有钨的原料气体和氢气交替地同第二载气一起供给到具有所述第一钨膜的所述基板，所述第一载气为氮气，所述第二载气由至少一种非活性气体构成，以该第二载气的全部流量的70％以上的流量的比例含有稀有气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
