[发明专利]一种Mg纳米点@BN纳米球复合物及其制备方法和应用在审
申请号: | 201810385178.0 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN108746650A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 刘先国;余洁意;孙玉萍 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | B22F9/14 | 分类号: | B22F9/14;B22F1/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及材料制备技技术领域,尤其涉及一种Mg纳米点@BN纳米球复合物,其特征在于,所述Mg纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Mg纳米点嵌入BN纳米球。所述BN纳米球的粒径为150~300nm,所述Mg纳米点的粒径为1~3nm。本发明首次制备出了Mg纳米点@BN纳米球复合物;本发明制备过程条件简单,易于控制,为Mg纳米点@BN纳米球复合物的实际应用提供了条件;本发明的Mg纳米点@BN纳米球复合物,由于Mg纳米点和BN纳米球构成了良好的电磁匹配,在2~18GHz频率范围内具有优秀的电磁吸收能力,使Mg纳米点@BN纳米球复合物成为2~18GHz范围内电磁吸收强有力的候选材料。 | ||
搜索关键词: | 纳米点 纳米球 复合物 电磁吸收 粒径 制备方法和应用 材料制备 候选材料 微观结构 应用提供 制备过程 制备 匹配 嵌入 | ||
【主权项】:
1.一种Mg纳米点@BN纳米球复合物,其特征在于,所述Mg纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Mg纳米点嵌入BN纳米球。
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