[发明专利]一种Ni纳米点@BN纳米球复合物及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810385237.4 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108714690A | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘先国;余洁意;孙玉萍 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;B22F9/14;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及材料制备技技术领域，尤其涉及一种Ni纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于，所述Ni纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Ni纳米点嵌入BN纳米球。所述BN纳米球的粒径为150～300nm，所述Ni纳米点的粒径为1～3nm。本发明首次制备出了Ni纳米点@BN纳米球复合物；本发明制备过程条件简单，易于控制，为Ni纳米点@BN纳米球复合物的实际应用提供了条件；本发明的Ni纳米点@BN纳米球复合物，由于Ni纳米点和BN纳米球构成了良好的电磁匹配，在2～18GHz频率范围内具有优秀的电磁吸收能力，使Ni纳米点@BN纳米球复合物成为2～18GHz范围内电磁吸收强有力的候选材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米点 纳米球 复合物 电磁吸收 粒径 制备方法和应用 材料制备 候选材料 微观结构 应用提供 制备过程 制备 匹配 嵌入 | ||
【主权项】：
1.一种Ni纳米点@BN纳米球复合物，其特征在于，所述Ni纳米点@BN纳米球复合物的微观结构为Ni纳米点嵌入BN纳米球。
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