[发明专利]一种降低SiC衬底上GaN薄膜内张应力的外延结构及其制备方法

摘要

一种降低SiC衬底上GaN薄膜内张应力的外延结构及其制备方法，属于半导体材料外延生长领域。其依次由SiC衬底、AlN成核层、Al组份x1从1到0线性渐变的Alx1Ga1‑x1N缓冲层、GaN层、孔状结构SiNx2插入层、GaN层构成。在AlN成核层和GaN层之间引入Al组份x1从1到0线性变化的渐变Alx1Ga1‑x1N缓冲层，有利于因晶格差异而产生的压应力保存在渐变Alx1Ga1‑x1N缓冲层和GaN层中。此外，由于Ga原子和N原子在SiNx2插入层表面的黏附系数很低，因此SiNx2插入层上的GaN层不能在SiNx2上成核，只能在未被SiNx覆盖处成核，为三维岛状的生长模式，当这些GaN成核岛横向过生长SiNx插入层时就会产生晶格的弛豫，使GaN层的张应力减小。

主权项

1.一种降低SiC衬底上GaN薄膜内张应力的外延结构，其特征在于：其从下至上依次由n型或者未掺杂的SiC衬底(1)、AlN成核层(2)、Al组份x1从1到0线性渐变的Alx1Ga1‑x1N缓冲层(3)、GaN层(4)、孔状结构的SiNx2插入层(5)、GaN层(6)构成，其中0

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