[发明专利]一种Sn纳米点@BN纳米球复合物及其应用在审

专利信息
申请号: 201810385843.6 申请日: 2018-04-26
公开(公告)号: CN108746651A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 刘先国;余洁意;孙玉萍 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: B22F9/14 分类号: B22F9/14;B22F1/02;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及材料制备技术领域,公开了一种Sn纳米点@BN纳米球复合物及其应用。该Sn纳米点@BN纳米球复合物包括BN纳米球和Sn纳米点,所述Sn纳米点嵌入BN纳米球中,使用等离子体电弧法制备而成。本发明金属纳米材料在BN中分布均匀,有效发挥纳米材料的尺寸效应和界面效应。
搜索关键词: 纳米点 纳米球 复合物 材料制备技术 等离子体电弧 金属纳米材料 尺寸效应 界面效应 纳米材料 有效发挥 嵌入 应用
【主权项】:
1.一种Sn纳米点@BN纳米球复合物,其特征在于,包括BN纳米球和Sn纳米点,所述Sn纳米点嵌入BN纳米球中。
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