[发明专利]一种量测硅片投入再现性的方法有效
| 申请号： | 201810386139.2 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108732870B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王朝辉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201200 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量测硅片投入再现性的方法，采用调整量测位置和测试标记的设置位置使得测试硅片避免与液浸水区域接触，达到无需在测试硅片上涂布防水涂层的目的。本发明的技术方案避免了硅片上的测试标记被损耗，提高量测的准确性，延长了测试硅片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 投入 再现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量测硅片投入再现性的方法，其特征在于，运用于液浸式光刻机中，包括以下步骤：步骤S1：提供一测试硅片，于所述测试硅片上设置测试标记；步骤S2：将所述测试硅片放置于所述液浸式光刻机的传送系统中；步骤S3：采用所述传送系统将所述测试硅片传送至量测位置，位于所述量测位置的所述测试硅片与所述液浸式光刻机的液浸水区域不接触；步骤S4：采用标记量测装置对所述测试标记进行位置测量以获取一组测试数据；步骤S5：采用所述传送系统将所述测试硅片移出所述量测位置；步骤S6：判断所述测试数据的数量是否满足预设的需求数量；若是，则进入步骤S7；若否，则返回步骤S3；步骤S7：对所有的所述测试数据进行计算，获取硅片投入再现性的测试结果。
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