[发明专利]霍尔器件制备方法及霍尔器件在审
| 申请号： | 201810386678.6 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108767108A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 钟青;王雪深;李劲劲;钟源 | 申请（专利权）人： | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 赵永辉 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种霍尔器件制备方法及霍尔器件，通过霍尔器件制备方法获得的霍尔器件，在GaAs衬底表面上直接光刻电极图形，沉积金属层，使得金属材料与二维电子气结构层接触，形成所述多个金属电极。然后，通过对制备有多个金属电极的GaAs衬底放置于保护气中退火，使得GaAs衬底表面与二维电子气结构层形成良好的欧姆接触。最后，用划片机沿着多个金属电极的外侧切出霍尔器件。霍尔器件没有霍尔棒结构，使得霍尔器件具有相对较大的临界电流。同时，通过图案化的掩膜层可以使得在进行光刻时，确保多个金属电极的精确对称。并且，霍尔器件制备方法由于减少了化学腐蚀霍尔棒的工艺步骤，使得GaAs衬底表面与二维电子气结构层的欧姆接触电阻的成功率达到100％。 | ||
| 搜索关键词： | 霍尔器件 制备 金属电极 二维电子气 衬底表面 结构层 霍尔 退火 欧姆接触电阻 沉积金属层 金属材料 电极图形 工艺步骤 化学腐蚀 临界电流 欧姆接触 棒结构 保护气 划片机 图案化 掩膜层 直接光 衬底 光刻 切出 成功率 对称 申请 | ||
【主权项】：
1.一种霍尔器件制备方法，其特征在于，包括：S10，提供一个GaAs基底(110)；S20，在所述GaAs基底(110)的表面生长二维电子气结构层(120)，形成具有所述二维电子气结构层(120)的GaAs衬底(10)，所述GaAs衬底(10)具有GaAs衬底表面(130)；S30，提供图案化的掩膜层(40)，并以所述掩膜层(40)为遮挡，在所述GaAs衬底表面(130)形成多个电极窗口(50)；S40，在所述多个电极窗口(50)中，沉积金属材料，形成金属电极层(601)；以及S50，将制备有所述金属电极层(601)的所述GaAs衬底(10)放置于保护气中，在温度400℃～500℃下，退火30秒～80秒，使所述GaAs衬底表面(130)与所述二维电子气结构层(20)的欧姆接触，形成多个金属电极(60)，制备出霍尔器件(100)。
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