[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810387480.X | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807318A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李灿浩;郑显秀;柳翰成;李仁荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 可提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；绝缘层，位于所述衬底上且包括沟槽；至少一个通孔结构，穿透所述衬底且突出在所述沟槽的底表面上方；以及导电结构，在所述沟槽中环绕所述至少一个通孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 衬底 通孔结构 绝缘层 导电结构 制造 穿透 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；绝缘层，位于所述衬底上，所述绝缘层包括沟槽；至少一个通孔结构，穿透所述衬底且突出在所述沟槽的底表面上方；以及导电结构，在所述沟槽中环绕所述至少一个通孔结构。
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