[发明专利]一种石墨电阻加热SiC晶体生长炉在审
| 申请号： | 201810390126.2 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108277534A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 董春明 | 申请（专利权）人： | 济南金曼顿自动化技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250019 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种石墨电阻加热SiC晶体生长炉，包括炉腔、坩埚和加热单元，炉腔的上端和下端分别设置有上法兰盖和下法兰盖，上法兰盖上设置有上炉盖；坩埚设置在炉腔中，坩埚上部设有籽晶盖，坩埚的上方和下方均设置有保温毡，坩埚的外部自下至上设置至少一段石墨加热单元，石墨加热单元为石墨电阻加热，每段石墨加热单元独立设置加热功率控制装置，各段加热单元的外围设置有保温层。该生长炉采用多段石墨电阻加热，能够方便的进行晶体生长温场调控，包括生长界面前沿的温度梯度以及生长恒温区间的长度，可以用于生长高质量大尺寸的SiC晶体，可以大大提高产品的直径和厚度，大大提高SiC晶体的利用率，从而降低SiC晶体的生长成本。 | ||
| 搜索关键词： | 加热单元 坩埚 石墨电阻 加热 石墨 炉腔 晶体生长炉 上法兰盖 晶体的 生长 加热功率控制装置 独立设置 恒温区间 晶体生长 生长界面 温度梯度 下法兰盖 保温层 保温毡 上炉盖 生长炉 上端 多段 温场 下端 籽晶 外围 调控 外部 | ||
【主权项】：
1.一种石墨电阻加热SiC晶体生长炉，包括炉腔、坩埚和加热单元，其特征是：坩埚设置在炉腔中，坩埚上部设有籽晶盖，坩埚的外部自下至上设置至少一段石墨加热单元，石墨加热单元为石墨电阻加热，每段石墨加热单元独立设置加热功率控制装置，各段加热单元的外围设置有保温层。
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