[发明专利]一种多次图形化的方法有效
| 申请号： | 201810390925.X | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108550522B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王全;范春晖;奚鹏程 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/28;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多次图形化的方法，包括如下步骤：S01：在衬底上形成硅中心线图形；S02：在上述衬底表面沉积氧化物层，并刻蚀氧化物层，形成位于硅中心线图形两侧的氧化物侧墙；S03：在上述衬底表面沉积第一图形层，并刻蚀第一图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第一图形；S04：在上述衬底表面沉积平坦化材料层，并刻蚀露出硅中心线图形；S05：去除硅中心线图形，在上述衬底表面沉积第二图形层，并刻蚀第二图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第二图形；S06：依次去除平坦化材料层和氧化物侧墙，形成第一图形和第二图形交替的多次图形化图形。本发明提供的一种多次图形化的方法，以一次光刻与多次侧墙工艺的组合，结合平坦化技术制作出超小节距图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多次 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多次图形化的方法，其特征在于，包括如下步骤：S01：在衬底上沉积STI薄膜层堆垛，其中STI薄膜层堆垛的最上方为无定型硅层，图形化无定型硅层形成硅中心线图形；S02：在硅中心线图形以及上述衬底表面沉积氧化物层，并刻蚀氧化物层，形成位于硅中心线图形两侧的氧化物侧墙；S03：在硅中心线图形、氧化物侧墙以及上述衬底表面沉积第一图形层，并刻蚀第一图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第一图形；S04：在上述衬底表面沉积平坦化材料层，并刻蚀露出硅中心线图形；S05：去除硅中心线图形，在氧化物侧墙、第一图形、平坦化材料层以及上述衬底表面沉积第二图形层，并刻蚀第二图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第二图形；S06：依次去除平坦化材料层和氧化物侧墙，形成第一图形和第二图形交替的多次图形化图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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