[发明专利]一种高光暗电流比和高光响应度的有机光电探测器

摘要

本发明公开了一种高光暗电流比和高光响应度的有机光电探测器，包括顺次连接的：源漏电极、有源层、界面修饰层、绝缘层和栅极：其中，源漏电极的厚度为30纳米；有源层的厚度为60纳米到80纳米；界面修饰层的厚度6纳米到10纳米；绝缘层的厚度为300纳米；栅极的厚度为500微米。本发明通过将不同比例受体单元的给体‑受体多元无规共聚物半导体与极性分子进行共混后制备薄膜作为有机光电探测器的有源层，通过给体‑受体多元无规共聚物半导体中的受体单元的比例来调控有机光电探测器的光响应，实现高光暗电流比（P106）和高光响应度(R=77A W‑1)。

主权项

1.一种高光暗电流比和高光响应度的有机光电探测器，包括顺序连接的源漏电极、有源层、界面修饰层、绝缘层和栅极，其特征在于：有源层由给体‑受体多元无规共聚物半导体与极性分子进行共混后制备而成，所述给体‑受体多元无规共聚物半导体由给体单元和受体单元组成，其中受体单元有多种，通过调节多种受体单元的比例调控有机光电探测器的光响应，其中将1％亚丁基己二酸酯PBA与以二噻吩BT作为给体单元，95wt％的异靛蓝IID和5wt％苯并二呋喃二酮BIBDF作为受体单元的三组分无规共聚物BTPIDBIBDF‑5共混制备的半导体膜作为器件的有源层时，有着最好的光响应。