[发明专利]具有NAND缓冲器的NAND闪速存储设备有效
| 申请号： | 201810391996.1 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN109117085B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 莫尼什·沙阿 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 周亚荣;安翔 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及具有NAND缓冲器的NAND闪速存储设备。至少一个方面涉及NAND闪速存储设备，所述NAND闪速存储设备包括多个NAND闪存芯片和控制器。所述控制器被配置成通过输入/输出(I/O)总线接收数据，并且将所接收的数据写入到所述多个NAND闪存芯片中的第一NAND闪存芯片和所述多个NAND闪存芯片中的第二NAND闪存芯片。到每个NAND闪存芯片的写入操作在时间上不重叠。所述控制器被配置成从所述第一NAND闪存芯片或所述第二NAND闪存芯片中当前未执行写入操作的任何一个读取数据，以使得读取操作不会被排队在写入操作后面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 nand 缓冲器 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种NAND闪速存储设备，所述设备包括：多个NAND闪存芯片；以及控制器，所述控制器被配置成：通过输入/输出(I/O)总线接收数据；相继地将所接收的数据写入到所述多个NAND闪存芯片中的第一NAND闪存芯片和所述多个NAND闪存芯片中的第二NAND闪存芯片，以使得到每个NAND闪存芯片的写入操作在时间上不重叠；通过所述I/O总线接收读取命令；以及响应于接收所述读取命令而从所述第一NAND闪存芯片或所述第二NAND闪存芯片中当前未执行写入操作的任何一个读取数据，以使得读取操作不会被排队在写入操作后面。
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