[发明专利]掺杂具有导电部件的半导体器件有效
| 申请号： | 201810392917.9 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN109728071B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘书豪;张惠政;陈佳政;陈亮吟;陈国儒;吴浚宏;刘昌淼;杨怀德;谭伦光;游伟明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明通常涉及半导体器件中的导电部件的掺杂。在实例中，结构包括晶体管的有源区域。有源区域包括源极/漏极区域，并且源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定。源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，第二掺杂剂的浓度分布具有从源极/漏极区域的表面至源极/漏极区域的深度的一致浓度。一致浓度大于第一掺杂剂浓度。该结构还包括在源极/漏极区域的表面处接触源极/漏极区域的导电部件。本发明的实施例还涉及掺杂具有导电部件的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 具有 导电 部件 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：晶体管的有源区域，所述有源区域包括源极/漏极区域，所述源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定，所述源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，所述第二掺杂剂的浓度分布具有从所述源极/漏极区域的表面至所述源极/漏极区域的深度的一致浓度，所述一致浓度大于所述第一掺杂剂浓度；以及导电部件，在所述源极/漏极区域的表面处接触所述源极/漏极区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810392917.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种MOS静电防护沟槽器件及其制造方法
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
