[发明专利]碳化硅外延晶片、碳化硅绝缘栅双极型晶体管及制造方法

摘要

一种碳化硅外延晶片、碳化硅绝缘栅双极型晶体管及制造方法，能够有效抑制在使用自支撑外延膜的IGBT的正向动作时过剩的电子被注入到集电极电极附近从而扩大的堆垛层错的产生。SiC‑IGBT具备p型的集电极层(p型缓冲层)、设置于集电极层之上的n‑型耐压维持层、设置于n‑型耐压维持层之上的p型基区、设置于p型基区的上部的n+型发射极区、设置于耐压维持层的上部的栅极绝缘膜以及设置于栅极绝缘膜之上的栅极电极。p型缓冲层的厚度为5μm以上且20μm以下，以5×1017cm‑3以上且5×1018cm‑3以下的杂质浓度添加有Al，以2×1016cm‑3以上且小于5×1017cm‑3的杂质浓度添加有B。

主权项

1.一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，具备：p型的集电极层，其由碳化硅形成，其厚度被设置为5μm以上且20μm以下，以5×1017cm‑3以上且5×1018cm‑3以下的杂质浓度添加有铝并且以2×1016cm‑3以上且小于5×1017cm‑3的杂质浓度添加有硼；n型的耐压维持层，其设置于所述集电极层之上；p型的基区，其设置于所述耐压维持层之上；n型的发射极区，其设置于所述基区的上部；栅极绝缘膜，其设置于所述耐压维持层的上部；以及栅极电极，其设置于所述栅极绝缘膜之上，其中，利用被添加在所述集电极层中的硼，来促进作为少数载流子的电子的捕获和消灭。