[发明专利]优化黑硅发射极的湿法回蚀工艺在审
| 申请号： | 201810393484.9 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108598219A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张云海;陈丽萍;缪若文;孙腾;沈家军;管高飞;陈如龙 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种优化黑硅发射极的湿法回蚀工艺，其特征是，采用以下步骤：将去除背面PSG的硅片放入到湿法回蚀液体中，于40‑80℃处理80‑150秒；所述湿法回蚀液体采用无机碱或含氮有机碱性物质和脱泡剂的混合液体，无机碱或含氮有机碱性物质的质量百分浓度为1‑5%，脱泡剂的质量百分浓度为0.01‑0.05%。本发明能够提升黑硅电池的电池转换效率，解决丝网印刷等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 回蚀 湿法 黑硅 有机碱性物质 发射极 脱泡剂 无机碱 电池转换效率 混合液体 丝网印刷 硅片 放入 去除 优化 背面 电池 | ||
【主权项】：
1.一种优化黑硅发射极的湿法回蚀工艺，其特征是，采用以下步骤：将去除背面PSG的硅片放入到湿法回蚀液体中，于40‑80℃处理80‑150秒；所述湿法回蚀液体采用无机碱或含氮有机碱性物质和脱泡剂的混合液体，无机碱或含氮有机碱性物质的质量百分浓度为1‑5%，脱泡剂的质量百分浓度为0.01‑0.05%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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