[发明专利]一种耗尽型超结MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810393551.7 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108538918A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 章文通;蒲松;叶力;赖春兰;乔明;李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种耗尽型超结MOSFET器件及其制造方法，包括至少一个元胞结构，每个元胞结构包括衬底、第二掺杂类型阱区、两个第一掺杂类型重掺杂区、第二掺杂类型重掺杂区、第一掺杂类型轻掺杂耗尽型沟道区；交替排列的第二掺杂类型条和第一掺杂类型条；本发明半导体器件在漂移区中引入第一掺杂类型条与第二掺杂类型条，利用第二掺杂类型条与第一掺杂类型条一一对应相互耗尽的原理，使得第一掺杂类型条掺杂浓度得以提高，进而降低器件漂移区导通电阻，在开态时，第一掺杂类型条中更多的载流子参与导电，提高了器件的电流能力。本发明半导体器件为结型耐压器件，相比阻型耐压器件，本发明半导体器件有更大的耐压能力，可节省芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂类型 发明半导体器件 耗尽型 超结MOSFET 耐压器件 元胞结构 重掺杂区 漂移区 载流子 导通电阻 电流能力 降低器件 交替排列 耐压能力 沟道区 轻掺杂 衬底 导电 结型 开态 阱区 耗尽 制造 掺杂 芯片 引入 | ||
【主权项】：
1.一种耗尽型超结MOSFET器件，其特征在于：包括至少一个元胞结构，每个元胞结构包括衬底(1)、厚硅层漂移区上表面的第二掺杂类型阱区(3)、第二掺杂类型阱区(3)的上表面设有两个第一掺杂类型重掺杂区(6)，两个第一掺杂类型重掺杂区(6)之间为紧邻的第二掺杂类型重掺杂区(8)；第二掺杂类型阱区(3)中的第一掺杂类型重掺杂区(6)远离第二掺杂类型重掺杂区(8)的一侧，和相邻的另一个第二掺杂类型阱区(3)中的第一掺杂类型重掺杂区(6)远离第二掺杂类型重掺杂区(8)的一侧之间设有第一掺杂类型轻掺杂耗尽型沟道区(7)；第二掺杂类型阱区(3)与衬底(1)之间设有交替排列的第二掺杂类型条(12)和第一掺杂类型条(2)；栅介质(4)覆盖第一掺杂类型轻掺杂耗尽型沟道区(7)的上表面，并覆盖第一掺杂类型轻掺杂耗尽型沟道区(7)两侧的两个第一掺杂类型重掺杂区(6)的部分上表面，多晶硅层(5)覆盖了栅介质(4)的上表面；介质层(9)覆盖了多晶硅层(5)，并覆盖了多晶硅层(5)两侧的两个第一掺杂类型重掺杂区(6)，源极金属(10)覆盖了整个器件上表面，漏极金属(11)覆盖整个衬底下表面；第一掺杂类型重掺杂区(6)的掺杂浓度高于第一掺杂类型轻掺杂耗尽型沟道区(7)的掺杂浓度，且第二掺杂类型重掺杂区(8)的掺杂浓度及结深大于第一掺杂类型重掺杂区(6)的掺杂浓度及结深。
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