[发明专利]一种忆阻器件的制备方法在审
| 申请号： | 201810393589.4 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108666418A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 孙柏;朱守辉;毛双锁;郑良;夏钰东;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种忆阻器件的制备方法，其步骤包括：将干燥的红薯皮用粉碎机粉碎，过滤获取微米级的红薯皮粉末，备用；制备混合溶液：将体积百分比为50％～55％的红薯皮粉末与体积百分比为20％～25％的聚偏氟乙烯混合均匀，再加入体积百分比为20％～25％水充分搅拌，制成混合溶液；用掺杂氟的SnO2透明导电玻璃FTO做基片，基片的电阻是20，利用旋涂法将步骤三得到的混合溶液在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；将制备好的带介电层的基片，在30℃的干燥箱里干燥12小时以上；将干燥之后的基片放入真空沉积设备，抽真空；通过直流溅射在介电层的表面沉积金属银(Ag)作为器件的上电极，工作气压为2pa，溅射电流为0.1A，溅射时间为10分钟，得到具有Ag/红薯皮/FTO结构的忆阻器件。 | ||
| 搜索关键词： | 红薯皮 体积百分比 介电层 制备 混合溶液 表面沉积金属 基片放入真空 透明导电玻璃 制备混合溶液 聚偏氟乙烯 沉积设备 工作气压 直流溅射 粉碎机 抽真空 干燥箱 微米级 旋涂法 电极 导电 电阻 溅射 旋涂 薄膜 备用 过滤 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种忆阻器件的制备方法，具体包括如下步骤：步骤一、将准备好的红薯皮，通过日晒干燥，备用；步骤二、将干燥的红薯皮，使用200目的粉碎机粉碎，研磨，过滤获取微米级的红薯皮粉末，备用；步骤三、制备混合溶液：将体积百分比为50％～55％的红薯皮粉末与体积百分比为20％～25％的聚偏氟乙烯混合均匀，再加入体积百分比为20％～25％水充分搅拌，制成混合溶液；步骤四、用掺杂氟的SnO2透明导电玻璃FTO做基片，基片的电阻是20Ω，利用旋涂法将步骤三得到的混合溶液在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；步骤五、将步骤四中得到的带介电层的基片，在30℃的干燥箱里干燥12小时以上；步骤六、将步骤五中干燥之后的基片放入真空沉积设备，抽真空；步骤七、通过直流溅射在介电层的表面沉积金属银作为器件的上电极，工作气压为2pa，溅射电流为0.1A，溅射时间为10分钟，得到具有Ag/红薯皮/FTO结构的忆阻器件。
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