[发明专利]固溶体碲化锡铅半导体纳米晶及其制备方法在审
| 申请号： | 201810394134.4 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108439352A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 谭国龙;宋小阳 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种固溶体碲化锡铅半导体纳米晶PbSnTe2制备方法，包含如下步骤：步骤一、取摩尔比为(0.9‑1.1):0.9‑1.1):(1.9‑2.1)的Pb、Sn与Te粉放置于惰性气体环境中1.5‑3小时以除去空气；步骤二、将步骤一所得混合物在1100‑1300r/min条件下球磨30‑40h即得所述的固溶体碲化锡铅半导体纳米晶PbSnTe2。所制得的碲化锡铅纳米晶尺寸均匀、纯相(无杂质)，且结晶性良好。由于其良好的光电性能，使其在光伏产业，红外探测及光电子元器件等领域均有潜在的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化锡 半导体纳米晶 固溶体 制备 惰性气体环境 光电子元器件 光电性能 光伏产业 红外探测 混合物 结晶性 摩尔比 纳米晶 潜在的 球磨 应用 | ||
【主权项】：
1.一种固溶体碲化锡铅半导体纳米晶的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：步骤一、取摩尔比为(0.9‑1.1):0.9‑1.1):(1.9‑2.1)的Pb、Sn与Te粉放置于惰性气体环境中1.5‑3小时以除去空气；步骤二、将步骤一所得混合物在1100‑1300r/min条件下球磨30‑40h即得所述的固溶体碲化锡铅半导体纳米晶PbSnTe2。
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