[发明专利]高增益相控阵微带天线有效
| 申请号： | 201810395210.3 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108777372B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 郑占旗;张立军;张小宾;叶甜春;邱昕;慕福奇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01Q21/00 | 分类号： | H01Q21/00;H01Q19/06;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高增益相控阵微带天线，该天线包括微带天线阵列和罩设在微带天线阵列上方的微波透镜，利用微波透镜对电磁波的折射汇聚特性来提高天线阵列的增益，继而通过控制天线阵列中各激励端口的幅度和相位，实现波束扫描，最终实现以小规模相控阵天线达到大规模相控阵天线的高增益和波束控制能力，为基于大规模相控阵天线的5G基站以低结构复杂度、低成本方式实现提供了新的解决途径。 | ||
| 搜索关键词： | 增益 相控阵 微带 天线 | ||
【主权项】：
1.一种高增益相控阵微带天线，其特征在于，包括微带天线阵列和罩设在所述微带天线阵列上方的微波透镜；所述微带天线阵列包括介质基板、位于所述介质基板上表面的蚀刻电路层和位于所述介质基板下表面的接地金属层；所述蚀刻电路层包括N2个电磁谐振辐射单元和N2个激励端口，所述N2个电磁谐振辐射单元成N*N矩阵式排列，各激励端口与各电磁谐振辐射单元一一对应地电连接，其中N为大于或等于1的自然数。
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