[发明专利]一种利用火焰作为热源的高纯碳化硅粉体的制备方法在审
| 申请号： | 201810395723.4 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108298543A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 王金波;姜华 | 申请（专利权）人： | 王金波 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人： | 邢江峰 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用火焰作为热源的高纯碳化硅粉体的制备方法，包括以下步骤：1)将高纯度硅粉和碳粉进行混合，得到硅碳粉；2)将步骤1)中的硅碳粉置于压力容器中，对压力容器中进行抽真空，然后再向压力容器内部充入保护性气体；3)向步骤2)中处理后的压力容器中通过两个带喷嘴的进气管分别通入高纯可燃性气体和高纯氧气；4)引燃步骤3)中的混合气体，使得碳硅粉在高温环境下反应10min以上，且实时反应温度可通过调节混合气体的流量、压力和火焰位置进行改变，反应结束即得碳化硅不规则块料，然后采用高压脉冲破碎、气流破碎、挤压破碎等后续处理，得到碳化硅粉体。 | ||
| 搜索关键词： | 压力容器 高纯碳化硅 混合气体 热源 粉体 硅碳 制备 保护性气体 可燃性气体 碳化硅粉体 不规则块 高纯度硅 高纯氧气 高温环境 高压脉冲 后续处理 火焰位置 挤压破碎 气流破碎 实时反应 喷嘴 抽真空 进气管 碳化硅 高纯 碳粉 碳硅 引燃 破碎 | ||
【主权项】：
1.一种利用火焰作为热源的高纯碳化硅粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将高纯度硅粉和碳粉按摩尔比0.5:1～2:1的比例进行混合，在常温环境下以20～500rpm的转速搅拌5min以上，得到硅碳粉；2)将步骤1)中的硅碳粉置于压力容器中，对压力容器中进行抽真空至真空度0.009Pa以下，然后再向压力容器内部充入的保护性气体至压力达到1000Pa以上，保护性气体不会在不在碳化硅的生成物中引入杂质，能够避免氧参与碳化硅合成反应；3)向步骤2)中处理后的压力容器中，通过两个带喷嘴的进气管分别通入高纯可燃性气体和高纯氧气，从而形成混合气体，可燃性气体和氧气的体积比大于1；4)引燃步骤3)中的混合气体，产生燃烧火焰，使得碳硅粉在1000～2400℃的高温环境下分一步或者多步反应10min以上，且实时反应温度可通过调节混合气体的流量、压力和火焰位置进行改变，反应结束即得碳化硅不规则块料，然后采用高压脉冲破碎、气流破碎或挤压破碎等后续处理，得到碳化硅粉体。
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