[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体光电领域。在未掺杂GaN层上设置包括N个周期的BN/BxGa1‑xN超晶格结构的应力释放层，BN/BxGa1‑xN超晶格结构会在外延层中积累拉应力，其拉应力可与未掺杂GaN中的部分压应力相互抵消，进而减小由未掺杂GaN中的压应力带来的线缺陷与压电极化。外延片中线缺陷的减少能够提高外延片的质量，并且其减少也能大大降低多量子阱有源区非辐射复合中心的形成，进而提升发光效率。而压电极化的减小也会减小由压电极化与外延片中自发极化带来的量子阱斯塔克限制效应，从而提高发光效率。

主权项

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的AlN缓冲层、未掺杂GaN层、应力释放层、N型GaN层、多量子阱有源层及P型GaN层，其中，应力释放层包括N个周期的BN/BxGa1‑xN超晶格结构，0.01

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