[发明专利]图案形成方法和光致抗蚀剂图案外涂层组合物有效

专利信息
申请号: 201810396587.0 申请日: 2018-04-27
公开(公告)号: CN108803236B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 侯希森;刘聪;I·考尔 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/004
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋;胡嘉倩
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种图案形成方法,包含:(a)提供半导体衬底;(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案,其中所述光致抗蚀剂图案由光致抗蚀剂组合物形成,所述光致抗蚀剂组合物包含:包含酸不稳定基团的第一聚合物;和光酸产生剂;(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案外涂层组合物,其中所述图案外涂层组合物包含第二聚合物和有机溶剂,其中所述有机溶剂包含一种或多种酯溶剂,其中所述酯溶剂具有式R1‑C(O)O‑R2,其中R1是C3‑C6烷基并且R2是C5‑C10烷基;(d)烘烤经涂布的所述光致抗蚀剂图案;和(e)用冲洗剂冲洗所述经涂布的光致抗蚀剂图案以去除所述第二聚合物。所述方法尤其适用于制造半导体装置。
搜索关键词: 图案 形成 方法 光致抗蚀剂 涂层 组合
【主权项】:
1.一种图案形成方法,包含:(a)提供半导体衬底;(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案,其中所述光致抗蚀剂图案由光致抗蚀剂组合物形成,所述光致抗蚀剂组合物包含:包含酸不稳定基团的第一聚合物;和光酸产生剂;(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案外涂层组合物,其中所述图案外涂层组合物包含第二聚合物和有机溶剂,其中所述有机溶剂包含一种或多种酯溶剂,其中所述酯溶剂具有式R1‑C(O)O‑R2,其中R1是C3‑C6烷基并且R2是C5‑C10烷基;(d)烘烤经涂布的所述光致抗蚀剂图案;和(e)用冲洗剂冲洗所述经涂布的光致抗蚀剂图案以去除所述第二聚合物。
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