[发明专利]波长稳定DFB激光器及切趾光栅的制备方法在审
| 申请号： | 201810396843.6 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108400522A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 班雪峰;赵懿昊;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种波长稳定DFB激光器切趾光栅，包括：一衬底；一下限制层，其制作在衬底上；一下波导层，其制作在下限制层上；一有源层，其制作在下波导层上；一上波导层，其制作在有源层上；一上限制层，其制作在上波导层上；一欧姆接触层，其制作在上限制层上；其中，在欧姆接触层的上面按预定距离开有不同深度的V形光栅沟槽，该V形光栅沟槽的深度均达到上限制层内。本发明可以实现单个半导体激光器的窄线宽输出以及波长稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 波长稳定 上限制层 欧姆接触层 光栅沟槽 切趾光栅 上波导层 波导层 限制层 衬底 源层 半导体激光器 预定距离 窄线宽 制备 输出 | ||
【主权项】：
1.一种波长稳定DFB激光器切趾光栅，包括：一衬底；一下限制层，其制作在衬底上；一下波导层，其制作在下限制层上；一有源层，其制作在下波导层上；一上波导层，其制作在有源层上；一上限制层，其制作在上波导层上；一欧姆接触层，其制作在上限制层上；其中，在欧姆接触层的上面按预定距离开有不同深度的V形光栅沟槽，该V形光栅沟槽的深度均达到上限制层内。
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