[发明专利]一种平面型VDMOS多晶栅极的形成方法

摘要

本发明涉及一种平面型VDMOS多晶栅极的形成方法，主要是通过使用多夹层的原位掺杂工艺来形成栅电极，所述方法包括以下步骤：步骤1，在完成栅氧氧化的圆片上开始原位掺杂淀积，先只通SiH4，不通PH3，生长未掺杂α‑Si；步骤2，在步骤1之上，同时通入SiH4和PH3，生长掺杂α‑Si；步骤3，接着步骤2，只通SiH4，不通PH3，生长未掺杂α‑Si；步骤4，在步骤3之上，同时通入SiH4和PH3，生长掺杂α‑Si；步骤5，接着步骤4，只通SiH4，不通PH3，生长未掺杂α‑Si；步骤6，在步骤5之上，同时通入SiH4和PH3，生长掺杂α‑Si；步骤7，完成圆片的后续工艺，利用后续工艺中的高温热过程完成夹层中的原位掺杂α‑Si POLY的掺杂元素扩散。

主权项

1.一种平面型VDMOS多晶栅极的形成方法，其特征在于：主要是通过使用多夹层的原位掺杂工艺来形成栅电极，所述方法包括以下步骤：步骤1，在完成栅氧氧化的圆片上开始原位掺杂淀积，先只通SiH₄，不通PH₃，生长的未掺杂α‑Si，；步骤2，在步骤1之上，同时通入SiH₄和PH₃，生长的掺杂α‑Si；步骤3，接着步骤2，只通SiH₄，不通PH₃，生长的未掺杂α‑Si；步骤4，在步骤3之上，同时通入SiH₄和PH₃，生长的掺杂α‑Si；步骤5，接着步骤4，只通SiH₄，不通PH₃，生长的未掺杂α‑Si；步骤6，在步骤5之上，同时通入SiH₄和PH₃，生长的掺杂α‑Si；步骤7，完成圆片的后续工艺，利用后续工艺中的高温热过程完成夹层中的原位掺杂α‑Si POLY的掺杂元素扩散；上述过程的工艺温度为540‑580℃，炉管工艺压力位150‑350mt。