[发明专利]一种高强高导电抗疲劳耐腐蚀石墨烯复合薄膜的制备方法有效
申请号: | 201810398239.7 | 申请日: | 2018-04-28 |
公开(公告)号: | CN108622884B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 程群峰;万思杰;江雷 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184;C01B32/194 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 安丽 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明涉及一种高强高导电抗疲劳耐腐蚀石墨烯复合薄膜的制备方法,首先将氧化石墨烯和氯化铬的混合液,经真空抽滤制得自支撑的离子交联的氧化石墨烯复合薄膜,然后将其浸泡于氢碘酸溶液中进行化学还原,得到离子交联的石墨烯复合薄膜,最后将薄膜浸泡在1‑芘丁酸N‑羟基琥珀酰亚胺酯(PSE)和1‑氨基芘(AP)溶液中,制得离子键和π键有序交联的石墨烯(SBG)复合薄膜,获得的SBG薄膜的最高拉伸强度为821MPa,相应的韧性为20MJ/m |
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搜索关键词: | 一种 高强 导电 疲劳 腐蚀 石墨 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高强高导电抗疲劳耐腐蚀石墨烯复合薄膜的制备方法,其特征在于,实现步骤如下:(1)采用搅拌超声方法将氧化石墨烯配成均匀的氧化石墨烯水溶液;(2)在搅拌条件下,加入三氯化铬(CrCl3)溶液,使Cr3+与氧化石墨烯发生离子交联,制得均匀分散的混合溶液;(3)采用真空抽滤法将上述混合溶液组装成自支撑的离子交联的氧化石墨烯复合薄膜,即IBGO复合薄膜;(4)对IBGO复合薄膜进行洗涤,以去除未交联的Cr3+,随后进行干燥;(5)将干燥的IBGO复合薄膜浸泡于氢碘酸(HI)中,进行化学还原,洗涤干燥后得到离子交联的石墨烯复合薄膜,即IBG复合薄膜;(6)将所述IBG复合薄膜依次浸泡在1‑芘丁酸N‑羟基琥珀酰亚胺酯(PSE)和1‑氨基芘(AP)的N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)溶液中,洗涤干燥后得到离子键和π键有序交联的石墨烯(SBG)复合薄膜;(7)调控加入CrCl3溶液的体积,重复步骤(2)、(3)、(4)、(5)、(6)来制备不同Cr3+含量的SBG复合薄膜。
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