[发明专利]加工方法在审
申请号: | 201810399315.6 | 申请日: | 2018-04-28 |
公开(公告)号: | CN108878355A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 竹之内研二 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供加工方法,将产生在分割预定线的交叉点附近的金属毛刺去除。该加工方法利用切削刀具对在分割预定线上具有金属的被加工物进行切削,该加工方法具有:第1切削步骤,沿着第1分割预定线对被加工物进行切削而形成第1切削槽;第2切削步骤,利用切削刀具沿着第2分割预定线对被加工物进行切削而形成第2切削槽;第1金属毛刺去除步骤,将切削刀具的最下端定位于比金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第1切削槽中通过;和第2金属毛刺去除步骤,将切削刀具的最下端定位于比金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第2切削槽中通过,一边对被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体一边实施该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤。 | ||
搜索关键词: | 切削刀具 金属毛刺 切削 去除 分割预定线 被加工物 切削槽 上端 加工 金属 下端 氧化剂 有机酸 | ||
【主权项】:
1.一种加工方法,利用旋转的圆环状的切削刀具对设定有分割预定线且具有与该分割预定线重叠的金属的被加工物进行切削,该分割预定线由沿第1方向延伸的多条第1分割预定线和沿与该第1方向交叉的第2方向延伸的多条第2分割预定线构成,该加工方法的特征在于,具有如下的步骤:带粘贴步骤,将带粘贴在该被加工物上;保持步骤,在实施了该带粘贴步骤之后,隔着该带将该被加工物保持在保持工作台上;第1切削步骤,在实施了该保持步骤之后,使该切削刀具切入该带并利用该切削刀具沿着该第1分割预定线对被加工物进行切削而形成第1切削槽;第2切削步骤,在实施了该第1切削步骤之后,使该切削刀具切入该带并利用该切削刀具沿着该第2分割预定线对被加工物进行切削而形成第2切削槽;第1金属毛刺去除步骤,在实施了该第2切削步骤之后,将该切削刀具的最下端定位于比该金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第1切削槽中通过;以及第2金属毛刺去除步骤,在实施了该第2切削步骤之后,将该切削刀具的最下端定位于比该金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第2切削槽中通过,一边对被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体,一边实施该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造