[发明专利]可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置及其方法有效
| 申请号： | 201810400178.3 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110416049B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 叶如彬 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张妍 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其包含：相对设置的上电极以及下电极；射频功率源，连接所述下电极或上电极；偏置功率源，连接所述下电极；边缘电极，呈环形，设置在所述下电极外围，并与下电极同心；阻抗调节单元，一端连接边缘电极，另一端接地，以形成一个边缘射频电流接地通路；静电夹盘，设置在所述下电极上方；绝缘环，设置在所述下电极外围的延展部上方，所述边缘电极埋设在该绝缘环内。其优点是：通过配置边缘电极以及阻抗匹配装置，以控制射频接地回路阻抗，实现对边缘射频耦合的无源调节。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 边缘 射频 等离子体 分布 ccp 刻蚀 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，包含：相对设置的上电极以及下电极；射频功率源，连接所述下电极或上电极；偏置功率源，连接所述下电极；边缘电极，呈环形，设置在所述下电极外围，并与下电极同心；阻抗调节单元，一端连接边缘电极，另一端接地，以形成一个边缘射频电流接地通路；静电夹盘，设置在所述下电极上方；绝缘环，设置在所述下电极外围的延展部上方，所述边缘电极埋设在该绝缘环内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810400178.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种反应腔室和半导体加工设备
- 下一篇：衬底处理设备和方法
